三星、SK海力士和闪迪共同布局HBF技术，预计2026年推出样品。这一结合了3D NAND容量和HBM带宽的创新方案，有望在2030年达到120亿美元市场规模。

随着AI推理市场迅速增长，存储行业正步入“后HBM时代”。不仅三星、SK海力士等存储巨头积极推进第六代HBM，全新技术HBF也登上竞争舞台。2025年初以来，各大厂商加速布局HBF高带宽闪存技术，将其视为突破AI推理存储瓶颈的关键解决方案。

业界专家预测，HBF市场规模到2030年将达到120亿美元，虽然仅为同期HBM预计市场规模（约1170亿美元）的10%，但这一新兴技术将与HBM形成互补，共同推动AI存力发展。

01 技术原理：HBF如何实现高带宽与大容量兼得

HBF，全称为High Bandwidth Flash（高带宽闪存），是一种通过堆叠NAND闪存制成的创新存储产品。其基本结构与堆叠DRAM芯片的HBM类似，但核心材料从DRAM转变为NAND闪存。

HBF的设计理念是将NAND闪存通过先进的3D堆叠和硅通孔技术进行整合，使其在保持较高带宽的同时，实现远超HBM的容量。这一设计针对AI推理过程中读多写少的特性，完美避开了NAND闪存在写入寿命方面的短板，而将其高密度、低成本的优点发挥到极致。

被称作“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出：“虽然NAND闪存比DRAM慢，但它提供了大约10倍的容量，这对于支持下一代AI可能至关重要。” HBF的单堆栈容量可达512GB，8个堆栈便能提供4TB容量，在相似成本下，可比HBM提供高8到16倍的容量。

02 发展现状：从概念到样品，巨头加速布局

2025年2月，闪迪首次提出HBF概念，将其定位为结合3D NAND容量和HBM带宽的创新产品。这一概念迅速获得产业界认可，存储巨头纷纷加速布局。

在2025年OCP全球峰会上，SK海力士推出了名为“AIN系列”的全新产品线，其中就包含HBF。此前，该公司与闪迪签署了一项谅解备忘录，共同制定HBF技术规范。

三星也已经开始其自有HBF产品的早期概念设计工作。与此同时，华为在2025年8月推出了UCM推理记忆资料管理器新技术，测试中可让FirstToken的生成延迟缩短9成，模型上下文记忆范围扩展10倍，整体吞吐率提升高达22倍。

根据当前规划，SK海力士与闪迪的合作已明确路线图：2026年下半年推出首批HBF内存样品，首批采用HBF的AI推理设备样品预计将于2027年初上市。

03 市场驱动：AI推理需求催生存储新范式

HBF技术的兴起与AI推理市场的爆发密不可分。广发证券指出，随着AI推理需求快速增长，轻量化模型部署推动存储容量需求快速攀升，预计未来整体需求将激增至数百EB级别。

AI推理的特点决定了HBF的适用场景。黄仁勋在近期采访中强调，AI推理将迎来十亿倍增长。推理已从“一次性回答”演变为“先思考再作答”的动态生成过程，思考时间越长，答案质量越高。这一过程对存储容量提出了更高要求。

随着ChatGPT、Gemini等大语言模型向多模态模型发展，不仅能生成文本，还能生成图像和视频，这需要比过去仅生成文本多得多的数据。多模态模型的兴起正是HBF等技术发展的核心驱动力。

SK海力士在最近的Q3业绩会上指出，对HDD高度依赖的超大规模数据中心客户，已开始转向基于大容量QLC的企业级固态硬盘。这反映了市场对高容量存储解决方案的迫切需求。

04 互补关系：HBF与HBM如何协同工作

HBF并非旨在取代HBM，而是与之形成互补关系。HBM如同短跑冠军，负责处理最关键、对延迟最敏感的数据；而HBF则像长途卡车，承担起存储超大模型权重、KV缓存等“吃容量”的任务。

这种分工协作的模式可能成为未来AI硬件的标准配置，让系统既保持高带宽，又能拥有更大的可用空间和更低的成本。华为的UCM技术正是这一理念的实践，其将资料依热度存放在不同层级记忆体中：把最即时、最常用的数据放入HBM，中期需要的则下放至DRAM，而大量但低频访问的冷资料则下沉到SSD。

天风证券分析认为，“以存代算”技术通过将AI推理过程中的矢量数据从昂贵的DRAM和HBM显存迁移至大容量、高性价比的SSD介质，实现存储层从内存向SSD的战略扩展，而非简单替代。其核心价值在于显著降低首Token时延、提升推理吞吐量，并大幅优化端到端的推理成本。

05 行业影响：存储产业迎来“超级周期”

存储行业当前正处于被定义为“超级周期”的行情之中。上海证券分析指出，AI推理应用快速推升实时存取、高速处理海量数据的需求，促使机械硬盘与固态硬盘供应商积极扩大供给大容量存储产品。

根据TrendForce集邦咨询报告，未来两年AI基础设施的建置重心将更偏向支持高效能的推理服务，2026年企业级固态硬盘的供应将呈吃紧状态，且这股需求热潮将延续到2027年。

价格方面，由于海外原厂产能限制，2025年第四季度存储涨价趋势预计持续。摩根士丹利预计，到2026年NAND闪存将出现高达8%的供应缺口。这一市场环境为HBF等创新技术提供了良好的发展契机。

HBF技术的发展也将改变存储行业的竞争格局。它为NAND闪存厂商提供了新的增长极，可能会重塑存储市场的势力划分。对AI行业来说，HBF技术如果成功，将能够大幅降低AI推理的成本，让更多企业能够负担得起大规模AI模型的部署和应用。

随着AI推理市场持续扩大，存储技术正经历从HBM到HBF的演进。当HBM在速度领域一骑绝尘之时，HBF以其10倍于DRAM的容量优势为AI发展提供了新的可能。这种“速度与容量”的互补关系，正重塑着AI算力的基础设施格局。

技术发展从来不是简单的替代，而是不断的融合与创新。HBF不会取代HBM，正如卡车不会取代跑车——它们只是在不同赛道上各司其职，共同推动AI时代的数据洪流向前奔涌。